由此，可以使磁传感器包括具有优秀磁滞特性的磁致电阻元件。
铁电RAM（FRAM）和磁阻RAM（MRAM）是存储器新技术中投入最多、研究最深入的两项技术。
本发明提供一种用于在制造期间防止静电放电对磁致电阻传感器的损坏的结构。
因此，次级磁阻元件能更可靠地作为初级元件的代替物。
本发明涉及一种有机磁阻传感器、制造方法和它的应用。
该工厂的责任，铸铁建造6200接受不锈钢磁阻技术与专利的传感器模块。
本发明公开了一种具有极小引线宽度和引线间隔的洛伦兹磁致电阻传感器及制造方法。
传统的方向盘转角传感器基于多种原理，如，光电效应、霍尔效应、磁阻效应、电阻分压效应等。
设计了基于HMC1023磁阻传感器的永磁定位信号处理电路。
智能交通；无线传感器网络；磁阻传感器；车辆计数；车型识别；