这种数据存储设备使用一个尖顶悬臂对铁电体存储材料进行读写操作。
结果表明退火气氛对薄膜的微观结构和铁电性能等都有很大的影响。
铁电RAM（FRAM）和磁阻RAM（MRAM）是存储器新技术中投入最多、研究最深入的两项技术。
文中介绍了铁电发射原理、影响因素、特点以及铁电陶瓷的制备方法。
该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能。
另外，铁电薄膜的铁电性能与电畴翻转的依赖性关系进行了讨论。
本文简要介绍了几种重要的铁电薄膜微图形化方法及有关研究结果，并比较了这些方法的优缺点。
铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一样快速读写。
本文仅就这种材料的铁电畴结构作了些浅易的分析，以期引起研究者注意。
最后对铁电薄膜的电离辐射机制进行了详细地讨论分析。
故粉末颗粒大小将影响厚膜结构致密度，其铁电特性与漏电流将有所影响。
层状类钙钛矿结构铁电薄膜的禁带宽度及红外吸收研究？
本文中，我们对其铁电性能改进的原因及其疲劳机制进行了详尽的阐述。
细电滞回线材料是一类特殊的铁电材料，在非线性电容器方面有潜在的应用价值。
本文从实验和理论上对钛酸钡铁电临界尺寸的研究进展进行了综述。
在一定温度范围内，对PMN-PZN-PT系弛豫铁电陶瓷直流偏压下的介电非线性进行了研究。
非常有趣的是，我们在这种纳米晶BNT薄膜中发现了尺寸效应驱动的铁电-顺电相变。
研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的（200）择优取向、显微结构及铁电性能的影响。
正是基于这些要求的激发使得存储设备由硅纳米线和铁电聚合物集合而成。
FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。