第一外延层被布置在衬底之上并且被掺杂为也具有第一导电类型。
进行的高温热退火实验证明获得的织构在一定的条件下是稳定的，可以用于外延薄膜的生长；
本发明提供一外延沉积工艺，其包含干式蚀刻工艺与后续的外延沉积工艺。
如此的改善可归因于在横向长磊晶层的区域缺陷密度减少造成的结果。
光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。
以原子层-分子束方法磊晶（ALE-MBE）成长锑化镓，可成长出较高的薄膜品质，同时可准确的控制量子点的成长厚度。
第二外延层被布置在收集器层上并且被掺杂为具有第一导电类型。
测试结果表明，利用所采用的外延生长结构制备APD器件，具有可行性。
据信是源于一个更大的内在缺陷密度磊晶成长过程中产生。
采用大气下火焰法进行了金刚石单晶膜的同质外延实验。
通过对外延生长过程的研究，提出了改进外延生长工艺的措施。
X射线衍射，扫描电子显微镜，X射线光电子能借测量表明生长的BNN膜是外延单晶膜。
通过使用HVPE的外延横向过生长实现连续的化合物半导体厚膜（15）或晶片的进一步的生长。
我市已具备组装加工半导体发光二极管能力，可以考虑在此基础上引进技术和设备进行外延片和管芯的生产。
在LED生产过程中，主要有外延片生长、芯片和封装三个环节。
一个复杂因素是薄膜为应变和单晶的，几乎没有任何缺陷。
四探针法用在非常薄的样品，例如外延晶圆片和导电涂层上。
市售GaAs外延层的质量相当高，故其材料和界面起伏引起的损耗可忽略不计。
含掺杂物离子的气体的流量根据外延生长期间的线性斜坡变化；
无机半导体材料的检验。用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层中缺陷种类和缺陷密度测定
1·Based on actual measurement results, the influence of process quality of semiconductor substrate wafers on epitaxial growth is described.
本文根据实际测量结果，一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。
2·This paper reports the design and experiments of the low noise UHF electronic tuner consisting of a low noise dual-gate FET and a high merit silicon epitaxial varactor.
本文叙述采用双栅砷化镓场效应晶体管和高优值硅外延变容二极管实现UHF电子调谐器低噪声化的有关设计和实验结果。
3·From the time-dependence of reflectivity at different temperature the solid phase epitaxial (SPE) growth rate was calculated.
从反射率随时间的变化曲线，计算出不同退火温度下的固相外延速率。
4·It is indicated that the step potential on the surface of the epitaxial grounding grid meets the specialty standard as long as the depth of burying of the grid is reasonable.
计算和实践表明，只要接地极埋设深度适宜，外延接地网表面的跨步电势仍然能够满足专业技术规范的安全要求。
5·PNP epitaxial silicon transistor. Low frequency power amplifier.
PNP外延硅晶体管。低频功率放大器。