在搁置溅射镀镍的编制洋，平刻胶与镍交联后变得格外坚硬，极易爆发水纹。
在紫外光照射穿透的地方，光刻胶的化学特性会被削弱，使硅晶片表面留下图案。
这边有几个处置方案：第一，等离子不兴尘法，在一个矮真空境况下，氧离子与平刻胶或化学精神反响。
氧化物、掩模或标线的不透明区域，或光刻层中不需要的小孔。
同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。
本发明的涂料组合物可用作光致抗蚀剂的覆盖涂层，包括可用在浸渍平版印刷工艺中。
此外，用光致抗蚀剂作牺牲材料不影响结构的厚度和材料的选择。
提出了一种用单波长激光制作真彩色彩虹全息图的新方法。
限定光致抗蚀剂层的步骤还包括曝光、显影。并可利用烘烤步骤使各凸块溶融化，以接合各凸块。
本发明提供了能形成具有低LER（线边缘粗糙度）的光刻胶图案的感光化合物。
在微电子技术中，通过曝光并显影光刻胶除去芯片上的物质露出剩馀部分的工艺。
本发明的方法可在保证一定涂覆均匀度的同时，获得较高的光阻使用率。
另外，本文还利用时域有限差分法分析了光刻胶层内部的光场分布。
针对光刻胶有曝光的特性，双光谱法更适合于胶厚检测。
采用AZ4620正型光刻胶甩胶于平面玻璃基片，以椭偏仪测量的结果为基准。
本文介绍了采用302负性光刻胶刻制光学度盘的工艺方法。
177进行分散及稳定处理，使其能够适用于光阻剂的调制。
主要提出了一种利用SU-8光刻胶形成高深宽比结构的新型压力传感器。
剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；
测定在蚀刻期间光致抗蚀剂同硬表面光掩膜坯及半导体片的有效粘附性
1·The results show that the photoresist which contains cinnamyl group exhibited an excellent thermal stability and adequate photosensitive properties.
研究结果表明，这种含肉桂基的光刻胶具有优良的耐热性与适宜的光敏特性。
2·The results show that the technology of melting photoresist is a simple and practical technology of fabricating microlens array.
结果表明，光刻胶热熔技术是一种简单、实用的微透镜阵列制作技术。
3·Where the UV light shines through, it chemically weakens the photoresist, leaving a pattern on the surface of the silicon.
在紫外光照射穿透的地方，光刻胶的化学特性会被削弱，使硅晶片表面留下图案。
4·Then the wafer is sent through a chemical bath that etches trenches into the exposed substrate, while leaving the areas covered by the photoresist untouched.
接着，硅晶片会被送入一个化学浴室，在暴露在外的硅衬底上蚀刻沟槽，同时光刻胶覆盖的区域不会受到任何影响。
5·According to the analysis of the photoresist process that got organic initiator conditions, nanometer of physical map was obtained.
根据对有机引发剂条件下的光刻胶过程的分析得出了纳米级实体图。